物質(zhì)受光照射時(shí)，通常發(fā)生兩種不同的反射現象，即鏡面發(fā)射和漫反射。對于粒徑較小的納米粉體，主要發(fā)生的是漫反射。漫反射滿(mǎn)足Kubelka-Munk方程式：

式中，K為吸收系數，與吸收光譜中的吸收系數的意義相同；S為散射系數； R_∞為無(wú)限厚樣品的反射系數R的極限值。

事實(shí)上，反射系數R通常采用與已知的高反射系數（R_∞≈1）標準物質(zhì)（如，BaSO₄和MgO）比較來(lái)測量。如果同一系列樣品的散射系數S基本相同，則F(R)與吸收系數成正比；因而可用F(R)作為縱坐標，表示該化合物的吸收帶。又因為F(R)是利用積分球的方法測量樣品的反射系數得到的，所以F(R)又稱(chēng)為漫反射吸收系數。

利用紫外－可見(jiàn)漫反射光譜法（UV-vis DRS）可以方便的獲得粉末或薄膜半導體材料的能帶間隙。紫外－可見(jiàn)光譜的積分球附件原理如圖12-1所示，積分球是一個(gè)中空的完整球殼，其內壁涂白色BaSO₄漫反射層，且球內壁各點(diǎn)漫射均勻。入射光照射在樣品表面，反射光反射到積分球壁上，光線(xiàn)經(jīng)積分球內壁反射至積分球中心的檢測器，可以獲得反射后的光強，從而可以計算獲得樣品在不同波長(cháng)的吸收。

根據材料的紫外－可見(jiàn)漫反射光譜可以計算獲得半導體材料的吸收帶邊或禁帶寬度。具體求法是先對紫外－可見(jiàn)漫反射光譜圖求導，找到一階導數最低點(diǎn)，通過(guò)這個(gè)點(diǎn)作切線(xiàn)，切線(xiàn)與吸光度為零時(shí)所對應的橫軸交點(diǎn)的波長(cháng)即為材料的吸收帶邊，同時(shí)也就得到了半導體的禁帶寬度。也可以根據吸收譜中的吸收系數，作出以光子能量hν為橫軸，（αhν）²為縱軸的曲線(xiàn)，如圖12-2所示。然后擬合光吸收邊所得直線(xiàn)在橫軸上的截距即為帶隙能量Eg。其中hν=h·c/λ，h=6.626×10^-34  J·s為普朗克常數，c=3×10⁸ m/s為光速，λ為相對應的波長(cháng)，最后把能量轉化為電子伏特為單位（）。